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Si4632DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
70
1.2
V GS = 10 V thr u 4 V
56
0.9
42
0.6
2 8
3 V
25 °C
0.3
14
T C = 125 °C
- 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0034
0.0030
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 500
6 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 4.5 V
5100
0.0026
0.0022
V GS = 10 V
3400
1700
C oss
0.001 8
0
10
20
30
40
50
60
0
0
C rss
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
I D = 20 A
V GS = 10 V
8
V DS = 10 V
1.4
6
4
2
0
V DS = 15 V
V GS = 20 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
22
44
66
88
110
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73786
S11-0209-Rev. C,14-Feb-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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